Методики

Перечень имеющихся методов и методик исследований Центра коллективного пользования «Функциональный контроль и диагностика микро- и наносистемной техники»

№ п/пМетод, методикаНаименование организации аттестовавшей методику
1ГАВЛ.60202.00006. Методика контроля электрических статических параметров микросхем в составе кремниевых пластин для определения функционирования на установке НР-82000 (США) с зондовой установкой и камерой тепла – холода для измерений в крайних значениях температур (-80;+120)НПК «Технологический центр»
2ГАВЛ.60202.00007. Методика контроля электрических параметров тестовых элементов микросхем на измерительном стенде AIK-TEST (Венгрия)НПК «Технологический центр»
3ГАВЛ.60202.00081. Методика контроля электрофизических параметров МДП-структур на основе измерения высокочастотных (ВЧ) вольт-фарадных характеристик (ВФХ) с помощью ртутного зонда (Параметры: напряжение плоских зон, ёмкость плоских зон, ёмкость диэлектрика, пороговое напряжение, эффективный заряд в диэлектрике, термополевая стабильность)НПК «Технологический центр»
4ГАВЛ.4081109001 ПМ Методика выполнения измерений линейных размеров топологии поверхности пленочных и объемных микромеханических элементов тестовых структур МЭМС и НЭМСОАО «НИЦПВ»
5ГАВЛ.4081109002 ПМ Методика выполнения измерений амплитудно-частотных характеристик микромеханических элементов в составе тестовых структур МЭМС и НЭМСФГУП «ВНИИМС»
6ГАВЛ.60202.00024 Методика контроля функционирования и измерения электрических статических параметров микросхем в корпусном исполнении при нормальных климатических условиях с использованием установки НР-82000 (США) с программируемой рабочей станцией НР-700i (США)НПК «Технологический центр»
7ГАВЛ.60207.00001;5:17 Методика испытания микросхем на воздействие повышенной и пониженной температуры среды (термоциклирование)НПК «Технологический центр»
8ГАВЛ.60207.00003 Методика испытания микросхем на воздействие линейного ускорения до 30000 g.НПК «Технологический центр»
9ГАВЛ.60207.00002 Методика испытания микросхем при повышенной температуре (электротермотренировка) для выявления потенциально ненадежных микросхем.НПК «Технологический центр»
10ГАВЛ4081109.003ПМ Методика выполнения полуавтоматических измерений параметров топографии поверхности методами атомно-силовой микроскопииНПК «Технологический центр»
11ГАВЛ4081109.004ПМ Методика выполнения измерений параметров поверхности средствами сканирующей туннельной микроскопииНПК «Технологический центр»
12ГАВЛ4081109.005ПМ Методика исследования электрохимических свойств поверхности средствами сканирующей зондовой микроскопииНПК «Технологический центр»
13ГАВЛ4081109.006ПМ Методика исследования электрофизических свойств поверхности средствами сканирующей зондовой микроскопииНПК «Технологический центр»
14«ГАВЛ.60207.00015 Испытание микросхем на вибропрочность»НПК «Технологический центр»
15«ГАВЛ.60207.00012 Испытание микросхем на воздействие повышенной влажности воздуха (длительное и ускоренное)»НПК «Технологический центр»
16ГАВЛ.60202.00134 Измерение характеристик пленок c помощью автоматической эллипсометрической измерительной системы SENDUROНПК «Технологический центр»
17ГАВЛ.60202.00135 Контроль параметров полупроводниковых пластин с помощью ИК Фурье-спектрометраНПК «Технологический центр»
18«ГАВЛ.410109.010ПМ Методика измерений коэрцитивной силы магниторезистивных наноструктур»ФГУП "ВНИИМС"
19«ГАВЛ.410109.011ПМ Методика измерений магниторезистивного эффекта тонкопленочных наноструктур»ФГУП "ВНИИМС"
20«ГАВЛ .410109.012ПМ Методика измерений магнитострикции магниторезистивных наноструктур»ФГУП "ВНИИМС"
21«ГАВЛ.410109.013ПМ Методика измерений поверхностного сопротивления тонкопленочных магниторезистивных наноструктур»ФГУП "ВНИИМС"
22«ГАВЛ.410109.014ПМ Методика измерений поля магнитной анизотропии тонкопленочных магниторезистивных наноструктур»ФГУП "ВНИИМС"
23ГАВЛ.60207.00018 Испытание микросхем на воздействие одиночных ударовНПК «Технологический центр»
24ГАВЛ.60202.00042 КЭП и ФК микросхем БМК при крайних значениях температур (НР82000-D50)НПК «Технологический центр»
25ГАВЛ.60202.00108 Контроль элементов тестовой полосы на пластине (АИК-ТЕСТ)НПК «Технологический центр»