Трехколлекторный  магнитотранзистор: Механизм чувствительности с отклонением двух потоков носителей заряда

Трехколлекторный магнитотранзистор: Механизм чувствительности с отклонением двух потоков носителей заряда


16.11.2012

Радиопромышленность. 2012. № 3. С. 58-66
Авторы: Козлов А.В., Королев М.А., Шаманаев С.В., Тихонов Р.Д., Черемисинов А.А.