Новости

19.10.2018
ВНИМАНИЕ! 6-я Международная научно-техническая конференция «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике» пройдет 20-22 февраля 2019 г.
ВНИМАНИЕ! 6-я Международная научно-техническая конференция «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике» пройдет 20-22 февраля 2019 г.


Приглашаем на "ЧипЭКСПО-2017"
03.10.2017
Приглашаем на "ЧипЭКСПО-2017"
С 31 октября по 2 ноября НПК "Технологический центр" примет участие в выставке "ЧипЭКСПО", которая состоится в ЦВК "Экспоцентр" на Красной Пресне в Москве.
Ионная имплантация примесей при повышенной температуре для формирования бездефектных ультратонких сток-истоковых слоев FinFET транзисторов
13.03.2014
Ионная имплантация примесей при повышенной температуре для формирования бездефектных ультратонких сток-истоковых слоев FinFET транзисторов
Ионная имплантация примесей при повышенной температуре для формирования бездефектных ультратонких сток-истоковых слоев FinFET транзисторов.
Установлен новый рекорд скорости передачи большого объема  данных с пониженным энергопотреблением
14.02.2014
Установлен новый рекорд скорости передачи большого объема данных с пониженным энергопотреблением
Установлен новый рекорд скорости передачи большого объема  данных с пониженным энергопотреблением
Ультрабыстрый широкополосный усилитель диапазона 235 Ггц
14.03.2014
Ультрабыстрый широкополосный усилитель диапазона 235 Ггц
Ультрабыстрый широкополосный усилитель диапазона 235 Ггц
Использование углеродных нанотрубок позволит решить проблему перегрева микропроцессоров следующих поколений
22.01.2014
Использование углеродных нанотрубок позволит решить проблему перегрева микропроцессоров следующих поколений
Использование углеродных нанотрубок позволит решить проблему перегрева микропроцессоров следующих поколений
Графеновые транзисторы обеспечили радиочипу IBM рекордную производительность
31.01.2014
Графеновые транзисторы обеспечили радиочипу IBM рекордную производительность
Графеновые транзисторы обеспечили радиочипу IBM рекордную производительность
Компания Samsung начала массовый выпуск самой быстрой и энергоэффективной 4 Гб DRAM
07.04.2014
Компания Samsung начала массовый выпуск самой быстрой и энергоэффективной 4 Гб DRAM
Компания Samsung начала массовый выпуск самой быстрой и энергоэффективной 4 Гб DRAM
Новый рекорд быстродействия SiGe транзисторов
19.02.2014
Новый рекорд быстродействия SiGe транзисторов
Новый рекорд быстродействия SiGe транзисторов
Новый миниатюрный датчик для прецизионного измерения тока
15.05.2014
Новый миниатюрный датчик для прецизионного измерения тока
Новый миниатюрный датчик для прецизионного измерения тока
Оптимизация технологии изготовления и конструкции энергоэфективных КМОП ИС с использованием DDC транзисторов
01.04.2014
Оптимизация технологии изготовления и конструкции энергоэфективных КМОП ИС с использованием DDC транзисторов
Оптимизация технологии изготовления и конструкции энергоэфективных КМОП ИС с использованием DDC транзисторов
Первый в мире датчик магнитного поля с 3D сенсорными функциями
03.02.2014
Первый в мире датчик магнитного поля с 3D сенсорными функциями
Первый в мире датчик магнитного поля с 3D сенсорными функциями

Новости 1 - 100 из 109
Начало | Пред. | 1 2 | След. | Конец Все