Переход к 3D NAND ЗУ неизбежно – мнение Форума производителей схем памяти

01.03.2014

Переход к 3D NAND ЗУ неизбежно – мнение Форума производителей схем памяти.

Технология двумерных NAND флэш ЗУ достигла предела своего развития. В августе 2013, компания  Samsung объявила о разработке технологии 3D NAND памяти емкостью 128 Гбит, содержащей 24 стекированных кристалла. В 2014 г. ожидается подобное сообщение от компаний Micron и Hynix. Технология двумерных NAND флэш ЗУ еще используется, но это вопрос времени. Массовое производство 3D NAND памяти компания Samsung начнет в 2014 году.  Технология 3D NAND ЗУ не требует применения предельных проектных норм существующей литографии, однако при её освоении в производстве придется преодолевать проблемы травления вертикальных каналов для межкристальных соединений с высоким аспектным отношением и определенной конфигурацией стенок и дна каналов, прецизионного  осаждения и травления слоев и много других проблем. Таким образом, технология изготовления 3D NAND памяти, характеризующаяся наилучшим сочетанием стоимости, мощности и производительности приборов в сравнении с двумерной технологией, тем не менее все еще  сохраняет проблемы, касающиеся освоения её в производстве. Обсуждению данной проблемы был посвящен Форум компаний Micron, Hynix и Sandisk в декабре 2013 года, организованный компанией Applied Materials - производителем технологического оборудования. Участники форума сообщили о планах совершенствования своих технологий. Компания Micron в 2014 году завершит разработку технологии 16 нм 3D NAND ЗУ с наивысшим числом бит на кв.см. при самой низкой стоимости. Память емкостью 128 Гбит будет размещена на 8 кристаллах. Следующее поколение NAND ЗУ, разрабатываемое компанией Micron, будет иметь емкость 256 Гбит с меньшей стоимостью, отнесенной на бит памяти, что является основанием для замены  DRAM ЗУ на NAND ЗУ в различных применениях, в т.ч. в потребительской портативной электронике.  

March 2014 Solid State Technology

www.solid-state.com