Публикации

Публикации



Особенности диагностирования самосинхронных функциональных ячеек средствами САПР «Ковчег»
24.09.2010
Особенности диагностирования самосинхронных функциональных ячеек средствами САПР «Ковчег»
Известия вузов. Электроника  - 2010
Авторы: Росляков А. С., Малашевич Н. И., Денисов А.Н.,  Фёдоров Р.А.,Гаврилов С. В
Термодинамика формирования кластеров катализаторов для роста углеродных нанотрубок
24.09.2010
Термодинамика формирования кластеров катализаторов для роста углеродных нанотрубок
Известия высших учебных заведений. Электроника,.
2010., №2, С 50-56.
Авторы: Булярский С.В., Басаев А.С., Галперин В.А., Павлов А.А., Пятилова О.В.,Цыганцов А.В., Шаман Ю.П.
Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы.
24.09.2010
Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы.
Нано- и микросистемная техника, 2010, № 6, С. 31-36.
Авторы: Тихонов Р.Д.
Оптимизация структуры и схемы включения двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора
24.09.2010
Оптимизация структуры и схемы включения двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора
Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России, 2010, № 3, С. 32 – 37.
Авторы: Тихонов Р.Д., Поломошнов С.А., Козлов А.В.
Offset Voltage of an Integrated Magnetotransistor Sensor”
24.09.2010
Offset Voltage of an Integrated Magnetotransistor Sensor”
Russian Microelectronics 2010, , Vol. 39, No. 1, pp. 41–53
Авторы: Tikhonov. R. D.
Начальная разность потен-циалов интегрального маг-нитотранзисторного датчи-ка
24.09.2010
Начальная разность потен-циалов интегрального маг-нитотранзисторного датчи-ка
Микроэлектроника, 2010, № 1, C. 46-58.
Авторы: Тихонов Р.Д.


Thermodynamics of the formation of catalyst clusters for carbon nanotube growth
24.09.2010
Thermodynamics of the formation of catalyst clusters for carbon nanotube growth
Semiconductors. Volume 44, Number 13, 1718-1722, DOI: 10.1134/S1063782610130208
Авторы: S. V. Bulyarskii, O. V. Pyatilova, A. V. Tsygantsov, A. S. Basaev, V. A. Galperin, A. A. Pavlov Yu. P. Shaman
Interstitial diffusion under conditions of trapping of interstitial impurity atoms
24.09.2010
Interstitial diffusion under conditions of trapping of interstitial impurity atoms
2010. Materials Science in Semiconductor Processing. Vol. 13, Issue 1. P. 13-20
Авторы: Velichko O.I.,Shaman Yu.P.


Публикации 81 - 88 из 88
 Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец | Все