Публикации



A high sensitivity surface-micromachined pressure sensor
05.02.2014
A high sensitivity surface-micromachined pressure sensor
Sensors and Actuators A: Physical

Авторы: Годовицын И.В., Амеличев В.В., Панков В.В.
Справочник Шпрингера по нанотехнологиям
27.01.2014
Справочник Шпрингера по нанотехнологиям
МИР материалов и технологий
Справочник Шпрингера по нанотехнологиям ( в 3-х томах

Перевод с английского под общей редакцией  А.Н. Саурова
Особенности структуры и свойств углеродных наностолбиков, сформированных низкотемпературным осаждением из газовой фазы
24.06.2013
Особенности структуры и свойств углеродных наностолбиков, сформированных низкотемпературным осаждением из газовой фазы
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 2(100). С. 42-48.
Авторы: Громов Д.Г.,Боргардт Н.И.,Волков Р.Л.,Галперин В.А.,Гришина Я.С.,Дубков С.В.
Реализация ячейки ОЗУ в составе КМОП БМК
24.06.2013
Реализация ячейки ОЗУ в составе КМОП БМК
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 2(100). С. 89-90.
Авторы: Малашевич Н.И.
Методика расчета тока автоэмиссии из одиночной углеродной нанотрубки
24.06.2013
Методика расчета тока автоэмиссии из одиночной углеродной нанотрубки
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 1. С. 18-24.
Авторы: Булярский С.В., Лакалин А.В., Басаев А.С.
Создание интегральных компонентов усиления магнитного сигнала в беспроводной  МЭМС на основе магниторезистивных элементов
24.06.2013
Создание интегральных компонентов усиления магнитного сигнала в беспроводной МЭМС на основе магниторезистивных элементов
Нано- и микросистемная техника. 2013. № 3. С. 29-33.
Авторы: Амеличев В.В.,Аравии В.В., Белов А.Н., Красюков А.Ю., Резнев А.А., Сауров А.Н.
Тактильный датчик для эндоскопии на основе матрицы чувствительных элементов давления.
24.06.2013
Тактильный датчик для эндоскопии на основе матрицы чувствительных элементов давления.
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 1. С. 88-90.
Авторы: Гусев Д.В., Суханов В.С., Землянников Н.С., Суханова Е.В.
Высокочувствительный магниторезистивный сенсор для современных приборов считывания информации
24.06.2013
Высокочувствительный магниторезистивный сенсор для современных приборов считывания информации
Нано- и микросистемная техника. 2013. № 4. С. 38-40
Авторы: Амеличев В.В.,Сницар В.Г.,Костюк Д.В.,Касаткин С.И.
Исследование микросистемы с использованием преобразователей магнитного поля
24.06.2013
Исследование микросистемы с использованием преобразователей магнитного поля
Нано- и микросистемная техника. 2013. № 4. С. 36-38
Авторы: Никифоров С.В.,Поломошнов С.А.,Тихонов Р.Д.,Черемисинов А.А.
Тензорезистивные преобразователи давления на основе сложнопрофилированных кремниевых мембран
24.06.2013
Тензорезистивные преобразователи давления на основе сложнопрофилированных кремниевых мембран
Нано- и микросистемная техника. 2013. № 4. С. 32-36
Авторы: Землянников Н.С.,Данилова Н.Л.,Панков В.В.,Суханов В.С.,Михайлов Ю.А.
Магниторезистивный преобразователь для датчиков тока
24.06.2013
Магниторезистивный преобразователь для датчиков тока
Нано- и микросистемная техника. 2013. № 4. С. 22-25
Авторы: Благов Е.В.,Амеличев В.В.,Костюк Д.В.
Оптимизация процесса электрохимического осаждения меди в массивы углеродных нанотрубок.
24.06.2013
Оптимизация процесса электрохимического осаждения меди в массивы углеродных нанотрубок.
Нано- и микросистемная техника. 2013. № 4. С. 12-15
Авторы: Галперин В.А.,Кондратьев П.К.,Зубов Д.Н.,Кельм Е.А.,Павлов А.А.
Частотные характеристики спин-вентильных магниторезистивных наноструктур
24.06.2013
Частотные характеристики спин-вентильных магниторезистивных наноструктур
Нано- и микросистемная техника. 2013. № 4. С. 9-12
Авторы: Вагин Д.В.,Касаткин С.И.,Амеличев В.В.,Костюк Д.В.,Беляков П.А.
Электропроводящие слои композиционных наноматериалов с многослойными углеродными нанотрубками
24.06.2013
Электропроводящие слои композиционных наноматериалов с многослойными углеродными нанотрубками
Нано- и микросистемная техника. 2013. № 4. С. 2-6.
Авторы: Ичкитидзе Л.П.,Подгаецкий В.М.,Путря Б.М.,Селищев С.В.,Благов Е.В., Галперин В.А.,Шаман Ю.П.,Кицюк Е.П.
Высокочастотные свойства нанообъектов с ферромагнитным  материалом
24.06.2013
Высокочастотные свойства нанообъектов с ферромагнитным материалом
Нано- и микросистемная техника. 2013. № 1. С. 29-36.
Авторы: Амеличев В.В., Белов А.Н.,Назаркина Ю.В.,Галперин В.А.,Касаткин С.И.,Колотов О.С.,Муравьёв А.М.,Плотникова Н.В.,Поляков П.А., Сырьев Н.Е., Шаман Ю.П.
Выставка "ЭЛЕКТРОНИКА-2012"
01.01.2013
Выставка "ЭЛЕКТРОНИКА-2012"
Наноиндустрия. 2013. Т. 1. № 39. С. 18-23.
Авторы: Вернер В.,Резнев А., Сауров А., Чаплыгин Ю.
Особенности роста топологических массивов углеродных нанотрубок
16.12.2012
Особенности роста топологических массивов углеродных нанотрубок
Российские НАНОТЕХНОЛОГИИ
2012. Т. 7. №1-2 С.37-40
Авторы: Басаев А.С.,Благов Е.В.,Гальперин В.А.,Павлов В.А.,Шаман Ю.П.,Шаманаев А.А.,Приходько А.С.Шаманаев С.В.
Влияние концентрации ферроцена в рабочей газовой смеси на параметры роста углеродных нанотрубок
16.12.2012
Влияние концентрации ферроцена в рабочей газовой смеси на параметры роста углеродных нанотрубок
Известия высших учебных заведений. Электроника
2012 № 2(94). С.51-54.
Авторы: Басаев А.С.
Интегрированная наноэлектромеханическая система параметров движения
16.12.2012
Интегрированная наноэлектромеханическая система параметров движения
Нано- и микросистемная техника. 2012. № 2. С. 46-48.
Авторы: Амеличев В. В.,Аравин В. В.,Благов Е. В.,Гаврилов Р. О.
Беспроводная магниторезистивная микросистема измерения магнитного поля
16.11.2012
Беспроводная магниторезистивная микросистема измерения магнитного поля
Известия высших учебных заведений. Электроника
2012 № 6(98). С.57-64.
Авторы: Амеличев В.В.,Аравин В.В.,Демин А.А.,Резнев А.А.,Сауров А.Н.,Хохлов М.В.
Интегральные МЭМС-датчики с повышенной стабильностью выходных параметров.
16.11.2012
Интегральные МЭМС-датчики с повышенной стабильностью выходных параметров.
Нано- и микросистемная техника. 2012. № 8. С. 36-41
Авторы: Былинкин C.Ф., Гаврилов А.А., Данилова Н.Л., Михайлов Ю.А., Пинаев В.В., Панков B.В., Суханов В.С., Шипунов А.Н.
Трехколлекторный  магнитотранзистор: Механизм чувствительности с отклонением двух потоков носителей заряда
16.11.2012
Трехколлекторный магнитотранзистор: Механизм чувствительности с отклонением двух потоков носителей заряда
Радиопромышленность. 2012. № 3. С. 58-66
Авторы: Козлов А.В., Королев М.А., Шаманаев С.В., Тихонов Р.Д., Черемисинов А.А.
Миниатюрный тензорезистивный преобразователь давления с высокой чувствительностью
16.11.2012
Миниатюрный тензорезистивный преобразователь давления с высокой чувствительностью
Нано- и микросистемная техника. 2012. № 6. С. 26-29.
Авторы: Амеличев В.В.Годовицын И.В.Панков В.В.Сауров А.Н.
Технология формирования пленок ZnO:Ga для создания преобразователей акустического давления
16.11.2012
Технология формирования пленок ZnO:Ga для создания преобразователей акустического давления
Известия высших учебных заведений. Электроника
2012 № 2(94). С.92-94.
Авторы: Громов Д.Г.,Козьмин А.М.,Шулятьев А.С.,Поломошнов С.А.,Шаманаев С.В.
Объемный композитный наноматериал на основе белка и углеродных нанотрубок.
16.11.2012
Объемный композитный наноматериал на основе белка и углеродных нанотрубок.
Нано- и микросистемная техника. 2012. № 3. С. 13-19.
Авторы: Ичкитидзе Л.П., Рындина Т.С., Селищев С.В., Пономарева О.В., Табулина Л.В., Шулицкий Б.Г., Галперин В.А., Шаман Ю.П., Благов Е.В.
Новый метод управления магнитными наногранулами в магниторезистивном биосенсоре.
13.11.2012
Новый метод управления магнитными наногранулами в магниторезистивном биосенсоре.
Датчики и системы. 2012. № 1. С.3-6.
Авторы: Герасименко Т.Н.,Поляков П.А.,Касаткин С.И.,Амеличев В.В.

Разработка аппаратуры космического применения с использованием базовых матричных кристаллов
16.10.2012
Разработка аппаратуры космического применения с использованием базовых матричных кристаллов
«Вестник ФГУП «НПО им.С.А.Лавочкина» 2012 №5 С.75-77
Авторы: Денисов А.Н.,Коняхин В.В.,Якунин А.Н.,Бец В.П.
Анизотропный магниторезистивный преобразователь-градиометр магнитного поля
16.10.2012
Анизотропный магниторезистивный преобразователь-градиометр магнитного поля
Датчики и системы. 2012. № 5. С.45-48
Авторы: Амеличев В.В.,Гаврилов Р.О.,Касаткин С.И.,Муравьев А.М.,Плотникова Н.В.
Приборно-технологическое моделирование чувствительности биополярных магнитотранзисторов для прецизионного контроля перемещений микромеханических элементов.
16.10.2012
Приборно-технологическое моделирование чувствительности биополярных магнитотранзисторов для прецизионного контроля перемещений микромеханических элементов.
Известия высших учебных заведений. Электроника
2012 № 2(94). С.90-92.
Авторы: Козлов А.В.,Королев М.А.,Поломошнов С.А.,Тихонов Р.Д.,Черемисинов А.А.,Шаманаев С.В.
ERRATUM: MICROWAVE FREQUENCY CHARACTERISTICS OF MAGNETICALLY FUNCTIONALIZED CARBON NANOTUBE ARRAYS
16.09.2012
ERRATUM: MICROWAVE FREQUENCY CHARACTERISTICS OF MAGNETICALLY FUNCTIONALIZED CARBON NANOTUBE ARRAYS
IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 2012. Т. 54. № 2. С. 499.
Авторы: Labunov V.A., Bogush V.A.,Prudnikava A.L., Shulitski B.G., Komissarov I.V., Basaev A.S., Tay B.K., Shakersadeh M.
MICROWAVE FREQUENCY CHARACTERISTICS OF MAGNETICALLY FUNCTIONALIZED CARBON NANOTUBE ARRAYS
16.09.2012
MICROWAVE FREQUENCY CHARACTERISTICS OF MAGNETICALLY FUNCTIONALIZED CARBON NANOTUBE ARRAYS
IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 2012. Т. 54. № 1. С. 70-80.
Авторы: Labunov V.A., Bogush V.A.,Prudnikava A.L., Shulitski B.G., Komissarov I.V., Basaev A.S., Tay B.K., Shakersadeh M.
GROWTH OF FEW-WALL CARBON NANOTUBES WITH NARROW DIAMETER DISTRIBUTION OVER FE-MO-MGO CATALYST BY METHANE/ACETYLENE CATALYTIC DECOMPOSITION
16.09.2012
GROWTH OF FEW-WALL CARBON NANOTUBES WITH NARROW DIAMETER DISTRIBUTION OVER FE-MO-MGO CATALYST BY METHANE/ACETYLENE CATALYTIC DECOMPOSITION
Nanoscale Research Letters. 2012. Т. 7. С. 1-20.
Авторы: Labunov V.A., Shulitski B.G.,Shaman Y.P., Komissarov I., Prudnikava A.L., Basaev A.S.,Tay B.K.,Shakerzadeh M.
Влияние конструктивно-технологических параметров на характеристики трехколлекторного биполярного магнитотранзистора
16.09.2012
Влияние конструктивно-технологических параметров на характеристики трехколлекторного биполярного магнитотранзистора
Известия высших учебных заведений. Электроника
2012 № 6(98). С.43-50.
Авторы: Козлов А.В.,Королев М.А.,Черемисинов А.А.,Жуков А.А.,Тихонов Р.Д.
МЭМС и третья индустриальная революция
16.09.2012
МЭМС и третья индустриальная революция
Нано- и микросистемная техника. 2012. № 11. С. 2-5
Авторы: Вернер В.Д., Мальцев П.П.,Сауров А.Н.
Конструкция и технология создания матриц преобразователей давления для эндоскопических тактильных датчиков
16.09.2012
Конструкция и технология создания матриц преобразователей давления для эндоскопических тактильных датчиков
Нано- и микросистемная техника  2012. № 11. С. 27-30.
Авторы: Амеличев В.В.,Буданов В.М.,Гусев Д.В.,Михайлов Ю.А.,Соколов М.Э.,Суханов В.С.,Тихонов Р.Д.
16.09.2012
Специализированные микросхемы для аппаратуры космического применения
Петербургский журнал электроники  2012 №3 C.84
Авторы: Денисов А.Н.,Коняхин В.В.
Влияние условий формирования на свойства тонких пленок  ZnO:Ga, осажденных методом магнетронного распыления на холодную подложку
16.09.2012
Влияние условий формирования на свойства тонких пленок ZnO:Ga, осажденных методом магнетронного распыления на холодную подложку
Известия высших учебных заведений. Электроника
2012 № 6(98). С.10-16.
Авторы: Громов Д.Г.,Козьмин А.М.,Шулятьев А.С.,Поломошнов С..А.,Шаманаев С.В.,Боголюбова Д.Н.
Моделирование микродвигателя на основе КНИ-структуры
12.09.2012
Моделирование микродвигателя на основе КНИ-структуры
Известия высших учебных заведений. Электроника
2012 № 1(93). С.43-47.
Авторы: Амеличев В.В.,Годовицын И.В.,Ильков А.В.,Костромин А.Ю.
NANOCOMPOSITE CARBON MATERIAL WITH ORDERED STRUCTURE SYNTHESIZED USING POROUS ALUMINUM OXIDE
17.09.2011
NANOCOMPOSITE CARBON MATERIAL WITH ORDERED STRUCTURE SYNTHESIZED USING POROUS ALUMINUM OXIDE
Nanotechnologies in Russia
2011. Т. 6. № 3-4. С. 171-180.
Авторы: Basaev A.S., Shulitskii B.G., Vorob'eva A.I., Prudnikova E.L.,Labunov V.A., Mozalev A.M., Shaman Y.P., Kukin V.N.
Исследование процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния в парогазовой смеси с пониженной полимеризационной способностью.
17.09.2011
Исследование процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния в парогазовой смеси с пониженной полимеризационной способностью.
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 89. С. 14-19.
Авторы: Голишников А.А.,Костюков Д.А., Путря М.Г.
Формирование наноразмерных структур методом плазменного травления.
17.09.2011
Формирование наноразмерных структур методом плазменного травления.
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 87. С. 35-39.
Авторы: Голишников А.А., Путря М.Г., Рыбачек Е.Н.
Магниторезистивные преобразователи магнитного поля с тонкопленочными наномагнитами.
17.09.2011
Магниторезистивные преобразователи магнитного поля с тонкопленочными наномагнитами.
Датчики и системы. 2011. № 8. С. 61-64.
Авторы: Амеличев В.В.,Касаткин С.И.,Муравьев А.М.,Поломошнов С.А.,Решетников И.А.
Влияние толщины подслоя катализатора на скорость роста массива углеродных нанотрубок
17.09.2011
Влияние толщины подслоя катализатора на скорость роста массива углеродных нанотрубок
Известия вузов. Электроника  - 2011. № 91. С.109-110.
Авторы: Басаев А.С.
Исследование радиационных эффектов тяжелых заряженных частиц в КМОП  ИС методами приборно-технологического моделирования
17.09.2011
Исследование радиационных эффектов тяжелых заряженных частиц в КМОП ИС методами приборно-технологического моделирования
Известия вузов. Электроника  - 2011. № 91. С.54-61.
Авторы: Кузнецов Е.В.Шемякин А.В.
PH-чувствительный элемент на основе кремниевых наноструктур
17.09.2011
PH-чувствительный элемент на основе кремниевых наноструктур
Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России, 2011.
№ 4. С. 44-48.
Авторы: Белостоцкая С.О.,Кузнецов Е.В.,Кузнецов А.Е.,Рыбачек Е.Н.,Чуйко О.В.
Профилированный магниторезистивный микрочип биосенсорного устройства регистрации магнитных меток.
17.09.2011
Профилированный магниторезистивный микрочип биосенсорного устройства регистрации магнитных меток.
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 12. С.52-54.
Авторы: Амеличев В.В.,Гаврилов Р.О.,Касаткин С.И.,Резнев А.А.,Решетников И.А.,Сауров А.Н.
Нано- и микросистемы для мониторинга параметров движения транспортных средств.
17.09.2011
Нано- и микросистемы для мониторинга параметров движения транспортных средств.
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 12. С.48-50.
Авторы: Прокофьев И.В.,Тихонов Р.Д.
Исследование кремниевых наноструктур в качестве pH-чувствительных элементов.
17.09.2011
Исследование кремниевых наноструктур в качестве pH-чувствительных элементов.
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 12. С.40-42.
Авторы: Кузнецов А.Е.,Чуйко О.В.
Тензорезистивный кремниевый МЭМС-преобразователь давления мембранного типа
17.09.2011
Тензорезистивный кремниевый МЭМС-преобразователь давления мембранного типа
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 12. С.36-37
Авторы: Годовицын И.В.,Данилова Н.Л.,Землянников Н.С.,Панков В.В.,Суханов В.С.
Микросистема контроля двух компонент вектора магнитной индукции на основе наноразмерных магниторезистивных структур.
17.09.2011
Микросистема контроля двух компонент вектора магнитной индукции на основе наноразмерных магниторезистивных структур.
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 12. С.33-35.
Авторы: Амеличев В.В.,Касаткин С.И.,Поломошнов С.А.,Решетников И.А.,Тихонов Р.Д.,Черемисинов А.А.,Шаманаев С.В.
Оптимизация условий формирования тонких пленок ZnO для использования в интегральных МЭМС-устройствах
17.09.2011
Оптимизация условий формирования тонких пленок ZnO для использования в интегральных МЭМС-устройствах
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 12. С.27-30
Авторы: Громов Д.Г.,Козьмин А.М.,Поломошнов С.А.,Шулятьев А.С.,Шаманаев С.В.
Конструктивные и схемотехнические способы повышения чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прецизионного контроля помещений микромеханических элементов.
17.09.2011
Конструктивные и схемотехнические способы повышения чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прецизионного контроля помещений микромеханических элементов.
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 12. С.19-20.
Авторы: Козлов А.В.,Королев М.А.,Поломошнов С.А.,Тихонов Р.Д.Черемисинов А.А.,Шаманаев С.В.
Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями.
17.09.2011
Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями.
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 12. С.13-16
Авторы: Вернер В.Д.,Луканов Н.М.,Сауров А.Н.
Влияние окисления катализатора на рост углеродных нанотрубок
17.09.2011
Влияние окисления катализатора на рост углеродных нанотрубок
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 12. С.6-8
Авторы: Басаев А.С.,Галперин В.А.,Павлов А.А.,Цыганов А.В.,Шаман Ю.П.,Шаманаев А.А.
Исследование электрофизических характеристик структур на основе топологических массивов углеродных нанотрубок
17.09.2011
Исследование электрофизических характеристик структур на основе топологических массивов углеродных нанотрубок
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 12. С.2-5.
Авторы: Галперин В.А.,Павлов А.А.,Поломошнов С.А.,Шаман Ю.П.,Шаманаев А.А.
Применение фокусированного ионного пучка для приготовления образцов для электронно-микроскопических исследований поверхностных наноструктур.
17.09.2011
Применение фокусированного ионного пучка для приготовления образцов для электронно-микроскопических исследований поверхностных наноструктур.
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2011. № 9. С. 94-99.
Авторы: Волков Р.Л., Боргардт Н.И., Кукин В.Н., Приходько А.С., Басаев А.С., Шаман Ю.П.
Особенности управляемой технологии углеродных нанотрубок
17.09.2011
Особенности управляемой технологии углеродных нанотрубок
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. 2011. №2. С.141-152.
Авторы: Басаев А.С.,Булярский С.В.
Применение базовых матричных кристаллов при разработке аппаратуры специального назначения
17.09.2011
Применение базовых матричных кристаллов при разработке аппаратуры специального назначения
«Вестник Концерна ПВО «Алмаз-Антей»
Авторы: Басаев А.С.,Денисов А.Н.,Коняхин В.В.,Сауров А.С.
МЭМС высокого уровня – возможный путь развития МЭМС в России.
17.09.2011
МЭМС высокого уровня – возможный путь развития МЭМС в России.
Нано- и микросистемная техника, 2011. № 6. С.28-31
Авторы: Аравин В.В.,Вернер В.Д.,Сауров А.Н.,Мальцев П.П.
«Чему учит кризис?» (Выставка «ЭЛЕКТРОНИКА - 2010», Г. Мюнхен, Германия)
17.09.2011
«Чему учит кризис?» (Выставка «ЭЛЕКТРОНИКА - 2010», Г. Мюнхен, Германия)
Известия высших учебных заведений. Электроника
2011 № 88. С.87-94.
Авторы: Вернер В.Д.,Резнев А.А.,Сауров А.Н.
Формирование наноразмерных структур методом плазменного травления.
17.09.2011
Формирование наноразмерных структур методом плазменного травления.
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 87. С. 35-39.
Авторы: Голишников А.А.,Путря М.Г.,Рыбачек Е.Н.
Нанокомпозитный углеродный материал с упорядоченной структурой, синтезированный с использованием пористого оксида алюминия.
17.09.2011
Нанокомпозитный углеродный материал с упорядоченной структурой, синтезированный с использованием пористого оксида алюминия.
Российские нанотехнологии. 2011. Т. 6. № 3-4. С. 31-38.
Авторы: Басаев А.С., Шулицкий Б.Г., Воробьева А.И., Прудникова Е.Л., Лабунов В.А., Мозалев А.М.,Шаман Ю.П., Кукин В.Н.
Диагностирование самосинхронных функциональных ячеек средствами  САПР «КОВЧЕГ»
17.09.2011
Диагностирование самосинхронных функциональных ячеек средствами САПР «КОВЧЕГ»
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 87. С. 40-45.
Авторы: Гаврилов С.В., Денисов А.Н., Малашевич Н.И., Росляков А.С., Фёдоров Р.А.
Миниатюрные тензорезистивные преобразователи давления: итоги двадцатипятилетия
17.09.2011
Миниатюрные тензорезистивные преобразователи давления: итоги двадцатипятилетия
Нано- и микросистемная техника, 2011. №7. С.29-41
Авторы: Амеличев В.В.,Гаврилов Р.О.,Генералов С.С.,Годовицын И.В.,Сауров А.Н.
Оптимизация СВЧ самосовмещенных транзисторных структур на чистом кремнии и малошумящего широкополосного усилителя для радиопередающих ИС с элементами МЭМС. Часть 3
17.09.2011
Оптимизация СВЧ самосовмещенных транзисторных структур на чистом кремнии и малошумящего широкополосного усилителя для радиопередающих ИС с элементами МЭМС. Часть 3
Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России, 2011.
№ 3. С. 11-20.
Авторы: Вернер В.Д.,Луканов Н.М., Сауров А.Н., Метельков П.В.



Ультранизкопотребляющая компонентная база и низкопотребляющие электронные системы. Часть 2
17.09.2011
Ультранизкопотребляющая компонентная база и низкопотребляющие электронные системы. Часть 2
Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России, 2011.
№ 4. С. 13-19.
Авторы: Вернер В.Д.,Кузнецов Е.В.,Сауров А.Н.,Резнев А.А.,Юдинцев В.А.
Ультранизкопотребляющая компонентная база и низкопотребляющие электронные системы. Часть 1
17.09.2011
Ультранизкопотребляющая компонентная база и низкопотребляющие электронные системы. Часть 1
Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России, 2011.
№ 3. С. 21-30.
Авторы: Вернер В.Д.,Кузнецов Е.В.,Сауров А.Н.,Резнев А.А.,Юдинцев В.А.
Магнитотранзисторный датчик с цифровым выходом
17.09.2011
Магнитотранзисторный датчик с цифровым выходом
Метрология. 2011. № 1.
С. 26-37.
Авторы: Тихонов Р.Д.
Кинетические схемы управления свойствами примесно-дефектной подсистемы кремния и экспериментальные результаты
17.09.2011
Кинетические схемы управления свойствами примесно-дефектной подсистемы кремния и экспериментальные результаты
Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. N1, 2011.
С.62-68
Авторы: Вернер И.В., Шокина Д.И., Юсипова  Ю.А.
Градиентное магнитное поле для управления магнитными микро- и наногранулами в вязкой среде
17.09.2011
Градиентное магнитное поле для управления магнитными микро- и наногранулами в вязкой среде
Научно-технический журнал «Датчики и системы», 2011. №1.
С.15-19
Авторы: Амеличев В.В.,Герасименко Т.Н.,Касаткин С.И.,Поляков П.А.
Обеспечение термоконстантных условий при эксплуатации чистых производственных помещений.
17.09.2011
Обеспечение термоконстантных условий при эксплуатации чистых производственных помещений.
Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России, 2011 № 1 С.101-103.
Авторы: Ларионов Н.М., Рябышенков А.С., Филиппов В.В., Гусев Д.В.
Integrated Circuit for Processing a Low – Frequency Signal from a Seismic Detector
16.09.2011
Integrated Circuit for Processing a Low – Frequency Signal from a Seismic Detector
ISSN 1063-7826, Semiconductors, 2011, Vol.45, No 13, pp.1680-1683
Авторы: Malashevich N.I., Roslyakov A.S., Polomoshnov S.A., Fedorov R.A.
MULTI-LEVEL COMPOSITE NANOSTRUCTURES BASED ON THE ARRAYS OF VERTICALLY ALIGNED CARBON NANOTUBES AND PLANAR GRAPHITE LAYERS
16.09.2011
MULTI-LEVEL COMPOSITE NANOSTRUCTURES BASED ON THE ARRAYS OF VERTICALLY ALIGNED CARBON NANOTUBES AND PLANAR GRAPHITE LAYERS
Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science. 2011. Т. 208. № 2. С. 453-458.
Авторы: Labunov V. Shulitski B. Prudnikava A. Basaev A.
Оценка температурного режима производственного помещения при переменной тепловой нагрузке
16.02.2011
Оценка температурного режима производственного помещения при переменной тепловой нагрузке
Энергосбережение и водоподготовка. 2011. № 1. С. 67-68.
Авторы: Ларионов Н.М.,Рябышенков А.С.,Суханов В.С.
Влияние температуры осаждения на структуру слоёв поликристаллического кремния.
25.09.2010
Влияние температуры осаждения на структуру слоёв поликристаллического кремния.
Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. N1, 2010
Авторы: Манжа Н.М Сауров А.Н.
Расчет и моделирование основных параметров дифференциального емкостного МЭМС-акселерометра
25.09.2010
Расчет и моделирование основных параметров дифференциального емкостного МЭМС-акселерометра
Сборник научных трудов IV Всероссийской научно-технической конференции «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2010».
Авторы: Амеличев В.В., Годовицын И.В., Сайкин Д.А, Фёдоров Р.А.

Анизотропные магниторези-стивные преобразователи на основе ферромагнитных на-но-структур с различным со-держанием кобальта
25.09.2010
Анизотропные магниторези-стивные преобразователи на основе ферромагнитных на-но-структур с различным со-держанием кобальта
Нано- и микросистемная техника, 2010., №2
Авторы: Амеличев В.В.,Гамарц И.А., Касаткин С.И., Лопатин В.В., Муравьев А.М., Плотникова Н.В., Резнев А.А., Решетников И.А., Чаплыгин Ю.А.
Микросхема для обработки низкочастотного сигнала с сейсмодатчика
24.09.2010
Микросхема для обработки низкочастотного сигнала с сейсмодатчика
Известия вузов. Электроника  - 2010
Авторы: Малашевич Н. И., Росляков А. С., Поломошнов С. А., Фёдоров Р. А.
Особенности диагностирования самосинхронных функциональных ячеек средствами САПР «Ковчег»
24.09.2010
Особенности диагностирования самосинхронных функциональных ячеек средствами САПР «Ковчег»
Известия вузов. Электроника  - 2010
Авторы: Росляков А. С., Малашевич Н. И., Денисов А.Н.,  Фёдоров Р.А.,Гаврилов С. В
Термодинамика формирования кластеров катализаторов для роста углеродных нанотрубок
24.09.2010
Термодинамика формирования кластеров катализаторов для роста углеродных нанотрубок
Известия высших учебных заведений. Электроника,.
2010., №2, С 50-56.
Авторы: Булярский С.В., Басаев А.С., Галперин В.А., Павлов А.А., Пятилова О.В.,Цыганцов А.В., Шаман Ю.П.
Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы.
24.09.2010
Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы.
Нано- и микросистемная техника, 2010, № 6, С. 31-36.
Авторы: Тихонов Р.Д.
Оптимизация структуры и схемы включения двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора
24.09.2010
Оптимизация структуры и схемы включения двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора
Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России, 2010, № 3, С. 32 – 37.
Авторы: Тихонов Р.Д., Поломошнов С.А., Козлов А.В.
Offset Voltage of an Integrated Magnetotransistor Sensor”
24.09.2010
Offset Voltage of an Integrated Magnetotransistor Sensor”
Russian Microelectronics 2010, , Vol. 39, No. 1, pp. 41–53
Авторы: Tikhonov. R. D.
Начальная разность потен-циалов интегрального маг-нитотранзисторного датчи-ка
24.09.2010
Начальная разность потен-циалов интегрального маг-нитотранзисторного датчи-ка
Микроэлектроника, 2010, № 1, C. 46-58.
Авторы: Тихонов Р.Д.


Thermodynamics of the formation of catalyst clusters for carbon nanotube growth
24.09.2010
Thermodynamics of the formation of catalyst clusters for carbon nanotube growth
Semiconductors. Volume 44, Number 13, 1718-1722, DOI: 10.1134/S1063782610130208
Авторы: S. V. Bulyarskii, O. V. Pyatilova, A. V. Tsygantsov, A. S. Basaev, V. A. Galperin, A. A. Pavlov Yu. P. Shaman
Interstitial diffusion under conditions of trapping of interstitial impurity atoms
24.09.2010
Interstitial diffusion under conditions of trapping of interstitial impurity atoms
2010. Materials Science in Semiconductor Processing. Vol. 13, Issue 1. P. 13-20
Авторы: Velichko O.I.,Shaman Yu.P.


Публикации 1 - 88 из 88
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец По стр.