Новости

Новости

19.10.2018
ВНИМАНИЕ! 6-я Международная научно-техническая конференция «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике» пройдет 20-22 февраля 2019 г.
ВНИМАНИЕ! 6-я Международная научно-техническая конференция «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике» пройдет 20-22 февраля 2019 г.


Приглашаем на "ЧипЭКСПО-2017"
03.10.2017
Приглашаем на "ЧипЭКСПО-2017"
С 31 октября по 2 ноября НПК "Технологический центр" примет участие в выставке "ЧипЭКСПО", которая состоится в ЦВК "Экспоцентр" на Красной Пресне в Москве.
Ионная имплантация примесей при повышенной температуре для формирования бездефектных ультратонких сток-истоковых слоев FinFET транзисторов
13.03.2014
Ионная имплантация примесей при повышенной температуре для формирования бездефектных ультратонких сток-истоковых слоев FinFET транзисторов
Ионная имплантация примесей при повышенной температуре для формирования бездефектных ультратонких сток-истоковых слоев FinFET транзисторов.
Установлен новый рекорд скорости передачи большого объема данных с пониженным энергопотреблением
14.02.2014
Установлен новый рекорд скорости передачи большого объема данных с пониженным энергопотреблением
Установлен новый рекорд скорости передачи большого объема  данных с пониженным энергопотреблением
Ультрабыстрый широкополосный усилитель диапазона 235 Ггц
14.03.2014
Ультрабыстрый широкополосный усилитель диапазона 235 Ггц
Ультрабыстрый широкополосный усилитель диапазона 235 Ггц
Использование углеродных нанотрубок позволит решить проблему перегрева микропроцессоров следующих поколений
22.01.2014
Использование углеродных нанотрубок позволит решить проблему перегрева микропроцессоров следующих поколений
Использование углеродных нанотрубок позволит решить проблему перегрева микропроцессоров следующих поколений
Графеновые транзисторы обеспечили радиочипу IBM рекордную производительность
31.01.2014
Графеновые транзисторы обеспечили радиочипу IBM рекордную производительность
Графеновые транзисторы обеспечили радиочипу IBM рекордную производительность
Компания Samsung начала массовый выпуск самой быстрой и энергоэффективной 4 Гб DRAM
07.04.2014
Компания Samsung начала массовый выпуск самой быстрой и энергоэффективной 4 Гб DRAM
Компания Samsung начала массовый выпуск самой быстрой и энергоэффективной 4 Гб DRAM
Новый рекорд быстродействия SiGe транзисторов
19.02.2014
Новый рекорд быстродействия SiGe транзисторов
Новый рекорд быстродействия SiGe транзисторов
Новый миниатюрный датчик для прецизионного измерения тока
15.05.2014
Новый миниатюрный датчик для прецизионного измерения тока
Новый миниатюрный датчик для прецизионного измерения тока
Оптимизация технологии изготовления и конструкции энергоэфективных КМОП ИС с использованием DDC транзисторов
01.04.2014
Оптимизация технологии изготовления и конструкции энергоэфективных КМОП ИС с использованием DDC транзисторов
Оптимизация технологии изготовления и конструкции энергоэфективных КМОП ИС с использованием DDC транзисторов
Первый в мире датчик магнитного поля с 3D сенсорными функциями
03.02.2014
Первый в мире датчик магнитного поля с 3D сенсорными функциями
Первый в мире датчик магнитного поля с 3D сенсорными функциями
01.03.2014
Переход к 3D NAND ЗУ неизбежно – мнение Форума производителей схем памяти
Переход к 3D NAND ЗУ неизбежно – мнение Форума производителей схем памяти
Российские электронщики создали уникальный «умный браслет»
20.11.2013
Российские электронщики создали уникальный «умный браслет»
Российские электронщики создали уникальный «умный браслет»
Совершенствование технологии 3D TSV ИС
19.03.2014
Совершенствование технологии 3D TSV ИС
Совершенствование технологии 3D TSV ИС
Создан первый в мире передатчик радарной системы диапазона 79 ГГц, изготовленный по 28-нм CMOS-технологии.
18.02.2014
Создан первый в мире передатчик радарной системы диапазона 79 ГГц, изготовленный по 28-нм CMOS-технологии.
Создан первый в мире передатчик радарной системы диапазона 79 ГГц, изготовленный по 28-нм CMOS-технологии.
10.06.2013
Сотрудники НПК "Технологический центр" приняли участие в заседании Совета по ЭРИ предприятий кооперации ОАО "ИСС", ФГУП "НПО им. С.А. Лавочкина
Сотрудники НПК "Технологический центр" приняли участие в заседании Совета по ЭРИ предприятий кооперации ОАО "ИСС", ФГУП "НПО им. С.А. Лавочкина
20.06.2013
НПК "Технологический центр" принял на освоение новые образцы корпусов микросхем
НПК "Технологический центр" для изготовления новых серий БМК осваивает новые образцы корпусов 4239.68-1 и 4247.100-1.
Международный Форум и выставка «Высокие технологии XXI века»
29.04.2013
Международный Форум и выставка «Высокие технологии XXI века»
С 24 по 26 апреля 2013 года в ЦВК «ЭКСПОЦЕНТР» состоялся 14-й Международный Форум и выставка «Высокие технологии XXI века».
3-я международная выставка «НОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА-2013»
29.03.2013
3-я международная выставка «НОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА-2013»
С 26 по 28 марта в ЦВК «ЭКСПОЦЕНТР» прошла 3-я международная выставка «НОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА-2013».
Международный салон «Комплексная безопасность - 2013»
30.05.2013
Международный салон «Комплексная безопасность - 2013»
С 21  по 24  мая 2013 г. в Москве  на  ВВЦ состоялся Международный салон «Комплексная безопасность - 2013».

Новости 1 - 120 из 120
 Начало | Пред. | 1 | След. | Конец | По стр.