Новости НПК "Технологический центр"

Ионная имплантация примесей при повышенной температуре для формирования бездефектных ультратонких сток-истоковых слоев FinFET транзисторов.

Установлен новый рекорд скорости передачи большого объема данных с пониженным энергопотреблением

Ультрабыстрый широкополосный усилитель диапазона 235 Ггц

Использование углеродных нанотрубок позволит решить проблему перегрева микропроцессоров следующих поколений

Графеновые транзисторы обеспечили радиочипу IBM рекордную производительность

Компания Samsung начала массовый выпуск самой быстрой и энергоэффективной 4 Гб DRAM

Новый рекорд быстродействия SiGe транзисторов

Новый миниатюрный датчик для прецизионного измерения тока

Оптимизация технологии изготовления и конструкции энергоэфективных КМОП ИС с использованием DDC транзисторов

Первый в мире датчик магнитного поля с 3D сенсорными функциями

Переход к 3D NAND ЗУ неизбежно – мнение Форума производителей схем памяти

Российские электронщики создали уникальный «умный браслет»

Совершенствование технологии 3D TSV ИС

Создан первый в мире передатчик радарной системы диапазона 79 ГГц, изготовленный по 28-нм CMOS-технологии.

Сотрудники НПК "Технологический центр" приняли участие в заседании Совета по ЭРИ предприятий кооперации ОАО "ИСС", ФГУП "НПО им. С.А. Лавочкина

НПК "Технологический центр" для изготовления новых серий БМК осваивает новые образцы корпусов 4239.68-1 и 4247.100-1.

С 24 по 26 апреля 2013 года в ЦВК «ЭКСПОЦЕНТР» состоялся 14-й Международный Форум и выставка «Высокие технологии XXI века».

С 26 по 28 марта в ЦВК «ЭКСПОЦЕНТР» прошла 3-я международная выставка «НОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА-2013».

С 21 по 24 мая 2013 г. в Москве на ВВЦ состоялся Международный салон «Комплексная безопасность - 2013».

Новости